内存颗粒DDR4/DDR5

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内存颗粒海力士（SK Hynix）、三星（Samsung）、美光（Micron） 本公司买卖内存颗粒 DDR4/DDR5等系列都可以. 欢迎垂询联系人:黄先生联系电话 13410308479

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我司作为SK海力士（SK Hynix）、三星（Samsung）、美光（Micron）三大品牌内存颗粒（DRAM）的核心合作供应商，深耕行业多年，凭借良好的企业信誉与稳定的合作渠道，为全球客户提供优质、全面的产品服务。我们具备四大核心优势，全方位保障客户采购需求：一是供货稳定，常年储备三大品牌充足库存，覆盖DDR4、DDR5等系列内存颗粒，可保障各类批量订单及时交付，杜绝缺货断供风险；二是价格优势显著，为客户提供极具竞争力的采购价格，降低客户采购成本；三是严格坚守正品保障，所有产品均为原厂原装，经过多重严格品控检测，杜绝任何假冒伪劣产品；四是信誉过硬，始终秉持诚信经营、客户至上的理念，多年来赢得了行业内广泛认可与众多客户的长期信赖。若您有采购内存颗粒相关产品的需求，均可联系我们咨询对接，我们将提供专业、高效、贴心的整体解决方案。

二、DDR4

型号	容量	组织/位宽	速度	工艺/芯片类型	封装	电压	温度范围
H5ANBG6NAMR-XNC	32Gb	4Gb×8	3200Mbps	1Xnm工艺	96 FBGA	1.2V	0°C ~ 85°C
H5ANBG8NCMR-VKC	64Gb	8Gb×8	3200Mbps	1Ynm工艺	144 FBGA	1.2V	0°C ~ 85°C
H5CNBG8NCMR-VKC	64Gb	8Gb×8	3200Mbps	1Znm工艺	144 FBGA	1.2V	0°C ~ 85°C
H5ANBG4NCMR-VKC	32Gb	4Gb×8	2666Mbps	1Xnm工艺	96 FBGA	1.2V	0°C ~ 85°C
H5ANBG2NCMR-VKC	16Gb	2Gb×8	2666Mbps	1Xnm工艺	78 FBGA	1.2V	0°C ~ 85°C
H5ANS1G83BFR-26E	8Gb	1Gb×8	2666Mbps	1Ynm工艺	78 FBGA	1.2V	0°C ~ 85°C
H5ANS2G83BFR-26E	16Gb	2Gb×8	2666Mbps	1Ynm工艺	78 FBGA	1.2V	0°C ~ 85°C
H5ANS4G83BFR-26E	32Gb	4Gb×8	2666Mbps	1Ynm工艺	96 FBGA	1.2V	0°C ~ 85°C
H5ANS8G83BFR-26E	64Gb	8Gb×8	2666Mbps	1Znm工艺	144 FBGA	1.2V	0°C ~ 85°C
H5ANS1G83BFR-32E	8Gb	1Gb×8	3200Mbps	1Ynm工艺	78 FBGA	1.2V	0°C ~ 85°C
H5ANS2G83BFR-32E	16Gb	2Gb×8	3200Mbps	1Ynm工艺	78 FBGA	1.2V	0°C ~ 85°C
H5ANS4G83BFR-32E	32Gb	4Gb×8	3200Mbps	1Ynm工艺	96 FBGA	1.2V	0°C ~ 85°C
H5ANS8G83BFR-32E	64Gb	8Gb×8	3200Mbps	1Znm工艺	144 FBGA	1.2V	0°C ~ 85°C
H5ANS1G83CFR-32E	8Gb	1Gb×8	3200Mbps	1Znm工艺	78 FBGA	1.2V	-40°C ~ 95°C
H5ANS2G83CFR-32E	16Gb	2Gb×8	3200Mbps	1Znm工艺	78 FBGA	1.2V	-40°C ~ 95°C

Part Number	Capacity	Organization / Bus Width	Speed	Process / Common Name	Package	Voltage	Temperature Range	ODECC / Status
MT40A1G8SA-046E	8Gb	1Gb×8	4800Mbps	1β node	78 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Yes
MT40A1G8SA-052E	8Gb	1Gb×8	5200Mbps	1β node	78 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Yes
MT40A2G8SA-046E	16Gb	2Gb×8	4800Mbps	1β node	78 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Yes
MT40A2G8SA-056E	16Gb	2Gb×8	5600Mbps	1β node	78 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Yes
MT40A2G8SA-064E	16Gb	2Gb×8	6400Mbps	1α node	78 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Yes
MT40A2G8SA-080E	16Gb	2Gb×8	8000Mbps	1γ node (EUV)	78 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Yes
MT40A1G16SA-056E	16Gb	1Gb×16	5600Mbps	1β node	96 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Yes
MT40A3G8SA-046E	24Gb	3Gb×8	4800Mbps	1β node	78 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Yes
MT40A3G8SA-056E	24Gb	3Gb×8	5600Mbps	1β node	78 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Yes
MT40A3G8SA-064E	24Gb	3Gb×8	6400Mbps	1α node	78 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Yes
MT40A4G8SA-056E	32Gb	4Gb×8	5600Mbps	1α node	96 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Yes
MT40A4G8SA-064E	32Gb	4Gb×8	6400Mbps	1α node	96 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Yes
MT40A8G8SA-064E	64Gb	8Gb×8	6400Mbps	1γ node	144 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Yes
MT40A16G8SA-064E	128Gb	16Gb×8	6400Mbps	1γ node	144 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Yes
MT40A1G8SB-056E	16Gb	1Gb×8	5600Mbps	1β node E-Die	82 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Mass Production
MT40A1G8SB-064E	16Gb	1Gb×8	6400Mbps	1α node E-Die	82 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Mass Production
MT40A1G16SB-056E	16Gb	1Gb×16	5600Mbps	1β node E-Die	106 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Mass Production
MT40A2G8SC-056E	16Gb	2Gb×8	5600Mbps	1γ node	82 FBGA	1.1V	-40°C ~ 95°C	Mass Production
MT40A2G8SC-064E	16Gb	2Gb×8	6400Mbps	1γ node	82 FBGA	1.1V	-40°C ~ 95°C	Mass Production
MT40A3G8SD-056E	24Gb	3Gb×8	5600Mbps	1γ node	82 FBGA	1.1V	-40°C ~ 95°C	Mass Production
MT40A4G8SD-064E	32Gb	4Gb×8	6400Mbps	1γ node	96 FBGA	1.1V	-40°C ~ 95°C	Mass Production
MT40A1G8SE-092E	8Gb	1Gb×8	9200Mbps	1γ node (Flagship)	78 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Mass Production
MT40A2G8SE-092E	16Gb	2Gb×8	9200Mbps	1γ node (Flagship)	78 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Mass Production
MT40A1G16SE-056E	16Gb	1Gb×16	5600Mbps	1γ node	106 FBGA	1.1V	-40°C ~ 105°C	Mass Production
MT40A2G16SE-064E	32Gb	1Gb×16	6400Mbps	1γ node	106 FBGA	1.1V	-40°C ~ 105°C	Mass Production

三、DDR5 产品规格表

型号	容量	组织/位宽	速度	工艺/芯片类型	封装	电压	温度范围
H5CG48AGBDX018N	16Gb	2Gb×8	5600Mbps	1α工艺 (A-Die)	78 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C
H5CG48AGBDX020N	16Gb	2Gb×8	6000Mbps	1α工艺 (A-Die)	78 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C
H5CG48AGBDX022N	16Gb	2Gb×8	6400Mbps	1β工艺 (B-Die)	78 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C
H5CG48AGBDX024N	16Gb	2Gb×8	6800Mbps	1β工艺 (B-Die)	78 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C
H5CG48AGBDX026N	16Gb	2Gb×8	7200Mbps	1γ工艺 (C-Die)	78 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C
H5CG48AGBDX028N	16Gb	2Gb×8	7600Mbps	1γ工艺 (C-Die)	78 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C
H5CG88AGBDX022N	32Gb	4Gb×8	6400Mbps	1γ工艺 (M-Die)	96 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C
H5CG88AGBDX026N	32Gb	4Gb×8	7200Mbps	1γ工艺 (M-Die)	96 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C
H5CG88AGBDX030N	32Gb	4Gb×8	8000Mbps	1γ工艺 (M-Die)	96 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C
H5CG16AGBDX026N	64Gb	8Gb×8	7200Mbps	1γ工艺 (C-Die)	144 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C
H5CG16AGBDX030N	64Gb	8Gb×8	8000Mbps	1γ工艺 (C-Die)	144 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C
H5CG16AGBDX034N	64Gb	8Gb×8	8800Mbps	1γ工艺 (旗舰级)	144 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C
H5CG24AGBDX026N	96Gb	12Gb×8	7200Mbps	1γ工艺 (D-Die)	144 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C
H5CG24AGBDX030N	96Gb	12Gb×8	8000Mbps	1γ工艺 (D-Die)	144 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C

Part Number	Capacity	Organization / Bus Width	Speed	Process / Common Name	Package	Voltage	Temperature Range	ODECC / Status
MT40A1G8SA-046E	8Gb	1Gb×8	4800Mbps	1β 工艺	78 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Yes
MT40A1G8SA-052E	8Gb	1Gb×8	5200Mbps	1β 工艺	78 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Yes
MT40A2G8SA-046E	16Gb	2Gb×8	4800Mbps	1β 工艺	78 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Yes
MT40A2G8SA-056E	16Gb	2Gb×8	5600Mbps	1β 工艺	78 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Yes
MT40A2G8SA-064E	16Gb	2Gb×8	6400Mbps	1α 工艺	78 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Yes
MT40A2G8SA-080E	16Gb	2Gb×8	8000Mbps	1γ 工艺 (EUV)	78 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Yes
MT40A1G16SA-056E	16Gb	1Gb×16	5600Mbps	1β 工艺	96 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Yes
MT40A3G8SA-046E	24Gb	3Gb×8	4800Mbps	1β 工艺	78 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Yes
MT40A3G8SA-056E	24Gb	3Gb×8	5600Mbps	1β 工艺	78 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Yes
MT40A3G8SA-064E	24Gb	3Gb×8	6400Mbps	1α 工艺	78 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Yes
MT40A4G8SA-056E	32Gb	4Gb×8	5600Mbps	1α 工艺	96 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Yes
MT40A4G8SA-064E	32Gb	4Gb×8	6400Mbps	1α 工艺	96 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Yes
MT40A8G8SA-064E	64Gb	8Gb×8	6400Mbps	1γ 工艺	144 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Yes
MT40A16G8SA-064E	128Gb	16Gb×8	6400Mbps	1γ 工艺	144 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Yes
MT40A1G8SB-056E	16Gb	1Gb×8	5600Mbps	1β 工艺 E-Die	82 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Mass Production
MT40A1G8SB-064E	16Gb	1Gb×8	6400Mbps	1α 工艺 E-Die	82 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Mass Production
MT40A1G16SB-056E	16Gb	1Gb×16	5600Mbps	1β 工艺 E-Die	106 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Mass Production
MT40A2G8SC-056E	16Gb	2Gb×8	5600Mbps	1γ 工艺	82 FBGA	1.1V	-40°C ~ 95°C	Mass Production
MT40A2G8SC-064E	16Gb	2Gb×8	6400Mbps	1γ 工艺	82 FBGA	1.1V	-40°C ~ 95°C	Mass Production
MT40A3G8SD-056E	24Gb	3Gb×8	5600Mbps	1γ 工艺	82 FBGA	1.1V	-40°C ~ 95°C	Mass Production
MT40A4G8SD-064E	32Gb	4Gb×8	6400Mbps	1γ 工艺	96 FBGA	1.1V	-40°C ~ 95°C	Mass Production
MT40A1G8SE-092E	8Gb	1Gb×8	9200Mbps	1γ 工艺 (Flagship)	78 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Mass Production
MT40A2G8SE-092E	16Gb	2Gb×8	9200Mbps	1γ 工艺 (Flagship)	78 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Mass Production
MT40A1G16SE-056E	16Gb	1Gb×16	5600Mbps	1γ 工艺	106 FBGA	1.1V	-40°C ~ 105°C	Mass Production
MT40A2G16SE-064E	32Gb	1Gb×16	6400Mbps	1γ 工艺	106 FBGA	1.1V	-40°C ~ 105°C	Mass Production

Part Number	Capacity	Organization / Bus Width	Speed	Process / Common Name	Package	Voltage	Temperature Range	ODECC / Status
K4R4G085WD-BCQK	8Gb	1Gb×8	4800Mbps	1bnm M-die	78 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Yes
K4R4G085WD-BDQK	8Gb	1Gb×8	5200Mbps	1bnm M-die	78 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Yes
K4R8G085WD-BCQK	16Gb	2Gb×8	4800Mbps	1bnm M-die	78 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Yes
K4R8G085WD-BDQK	16Gb	2Gb×8	5200Mbps	1bnm M-die	78 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Yes
K4R8G085WD-BEQK	16Gb	2Gb×8	5600Mbps	1bnm M-die	78 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Yes
K4R8G085WD-BFQK	16Gb	2Gb×8	6400Mbps	1bnm A-die	78 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Yes
K4R8G085WD-BGQK	16Gb	2Gb×8	8000Mbps	1bnm A-die	78 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Yes
K4R8G165WD-BEQK	16Gb	1Gb×16	5600Mbps	1bnm M-die	96 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Yes
K4R8G085WD-BEQK-ECC	16Gb	2Gb×8	5600Mbps	1bnm M-die	78 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Yes
K4RMH086VD-BCQK	24Gb	3Gb×8	4800Mbps	1bnm New M-die	78 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Yes
K4RMH086VD-BEQK	24Gb	3Gb×8	5600Mbps	1bnm New M-die	78 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Yes
K4RMH086VD-BFQK	24Gb	3Gb×8	6400Mbps	1bnm A-die	78 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Yes
K4RGH166VD-BEQK	32Gb	4Gb×8	5600Mbps	1bnm A-die	96 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Yes
K4RGH166VD-BFQK	32Gb	4Gb×8	6400Mbps	1bnm A-die	96 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Yes
K4RFE168VD-BFQK	64Gb	8Gb×8	6400Mbps	1bnm Flagship Grade	144 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Yes
K4RFE168VD-BGQK	128Gb	16Gb×8	6400Mbps	1bnm Flagship Grade	144 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Yes
K4RAH086VB-BCQK	16Gb	2Gb×8	4800Mbps	1bnm	82 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Mass Production
K4RAH086VB-BCWM	16Gb	2Gb×8	5600Mbps	1bnm	82 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Mass Production
K4RAH086VB-BIQK	16Gb	2Gb×8	4800Mbps	1bnm	82 FBGA	1.1V	-40°C ~ 95°C	Mass Production
K4RAH086VB-BIWM	16Gb	2Gb×8	5600Mbps	1bnm	82 FBGA	1.1V	-40°C ~ 95°C	Mass Production
K4RAH086VP-BCWM	16Gb	2Gb×8	5600Mbps	1bnm	82 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Mass Production
K4RAH086VE-BCWM	16Gb	2Gb×8	5600Mbps	12nm E-Die	82 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Mass Production
K4RAH165VB-BCQK	16Gb	1Gb×16	4800Mbps	1bnm	106 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Mass Production
K4RAH165VB-BCWM	16Gb	1Gb×16	5600Mbps	1bnm	106 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Mass Production
K4RAH165VB-BIQK	16Gb	1Gb×16	4800Mbps	1bnm	106 FBGA	1.1V	-40°C ~ 95°C	Mass Production
K4RAH165VB-BIWM	16Gb	1Gb×16	5600Mbps	1bnm	106 FBGA	1.1V	-40°C ~ 95°C	Mass Production
K4RAH165VP-BCWM	16Gb	1Gb×16	5600Mbps	1bnm	106 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Mass Production
K4RHE086VB-BCWM	24Gb	2Gb×8	5600Mbps	High Density	82 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Mass Production
K4RHE086VP-BCCP	24Gb	2Gb×8	5600Mbps	D1a	82 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Mass Production
K4RHE165VB-BCWM	24Gb	1Gb×16	5600Mbps	High Density	106 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Mass Production
K4RBH046VM-BCCP	32Gb	2Gb×4	6400Mbps	3DS Stacking	78 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Mass Production
K4RBH046VM-BCWM	32Gb	2Gb×4	5600Mbps	3DS Stacking	78 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Mass Production
K4RCH046VM-2CCM	32Gb	4Gb×4	5600Mbps	High Density	78 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Mass Production
K4RCH046VM-2CLP	32Gb	4Gb×4	6400Mbps	High Density	78 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Mass Production
K4RAH086VDBCWM	16Gb	2Gb×8	5600Mbps	D-Die	82 FBGA	1.1V	0°C ~ 85°C	Mass Production

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